2 variantes disponibles.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -10 A, -30 V, 0.02 ohm, 10 V, -1 V.
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores
, Semiconductores Discretos
, MOSFET
.
Mejor precio | |
---|---|
Unidades/pack | 1 900 |
Precio unitario | 0,335€ |
Entrega | 30 días |
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores
, Semiconductores Discretos
, MOSFET
.
Mejor fecha de entrega | |
---|---|
Unidades/pack | 100 |
Precio unitario | 0,407€ |
Entrega | 7 días |