2 variantes disponibles.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, 14 A, -100 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 V.
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores
, Semiconductores Discretos
, MOSFET
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Mejor precio | |
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Unidades/pack | 2 500 |
Precio unitario | 0,412€ |
Entrega | 30 días |
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores
, Semiconductores Discretos
, MOSFET
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Mejor fecha de entrega | |
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Unidades/pack | 25 |
Precio unitario | 0,601€ |
Entrega | 7 días |