IRFB3207PBF | MOSFET, IRFB3207PBF, N-Canal, 170 A, 75 V, 3-Pin, TO-220AB
1 variante disponible.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 75 V, 0.0036 ohm, 10 V, 4 V.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 050 |
| Precio unitario | 1,441€ |
| Entrega | 7 días |