IRFD220PBF | N channel ;VBRDSS 200 V; RDSon 800 mOh

2 variantes disponibles.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

N channel ;VBRDSS 200 V; RDSon 800 mOh

Fabricado por: Vishay

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 100
Precio unitario 0,229€
Entrega >30 días

Transistor MOSFET, Canal N, 1.3 A, 200 V, 0.8 ohm, 10 V, 4 V

Fabricado por: Vishay
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 5 000
Precio unitario 0,334€
Stock (packs) 3267
Entrega 7 días