IRFH8316TRPBF | MOSFET, IRFH8316TRPBF, N-Canal, 120 A, 30 V, 8-Pin, PQFN
2 variantes disponibles.
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 4 000 |
| Precio unitario | 0,343€ |
| Entrega | 30 días |
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 0,404€ |
| Entrega | 7 días |