IRFIBE30GPBF | N channel ;VBRDSS 800 V; RDSon 3000 mO
2 variantes disponibles.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
N channel ;VBRDSS 800 V; RDSon 3000 mO
Fabricado por: Vishay
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 50 |
| Precio unitario | 0,572€ |
| Entrega | >30 días |
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 1,133€ |
| Stock (packs) | 977 |
| Entrega | 7 días |