IRFR9110TRPBF | P channel ;VBRDSS -100 V; RDSon 1200 m

2 variantes disponibles.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

P channel ;VBRDSS -100 V; RDSon 1200 m

Fabricado por: Vishay

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 2 000
Precio unitario 0,183€
Entrega >30 días

Transistor MOSFET, Canal P, -3.1 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

Fabricado por: Vishay

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 5 000
Precio unitario 0,348€
Stock (packs) 1230
Entrega 7 días