2 variantes disponibles.
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 62A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 1,339€ |
| Entrega | >30 días |
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 500 |
| Precio unitario | 1,928€ |
| Entrega | 7 días |