IRG4BC30FD1PBF | Transistor Único IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pines

2 variantes disponibles.

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Transistor Único IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pines

Fabricado por: Infineon

Corriente de Colector DC: 31A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V Disipación de Potencia Pd: 100W

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.

Mejor precio
Unidades/pack 2.500
Precio unitario 1,348€
Entrega >30 días

IGBT, IRG4BC30FD1PBF, N-Canal, 31 A, 600 V, TO-220AB, 3-Pines, 1 → 8kHz

Fabricado por: Infineon

Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de Infineon proporcionan al usuario una amplia gama de opciones para garantizar que sus aplicaciones están cubiertas. Las calificaciones de alta eficiencia hacen que esta gama de IGBT pueda usarse en una amplia variedad de aplicaciones y admitir varias frecuencias de conmutación gracias a las bajas pérdidas de conmutación.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 1.000
Precio unitario 1,764€
Entrega 7 días