IRLL014TRPBF | N channel ;VBRDSS 60 V; RDSon 200 mOhm

2 variantes disponibles.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

N channel ;VBRDSS 60 V; RDSon 200 mOhm

Fabricado por: Vishay

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 2 500
Precio unitario 0,245€
Entrega >30 días

Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, 5 V, 2 V

Fabricado por: Vishay
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 5 000
Precio unitario 0,253€
Stock (packs) 2375
Entrega 7 días