IRLL024ZPBF | Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 55 V, 0.06 ohm, 10 V, 3 V

2 variantes disponibles.

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Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 55 V, 0.06 ohm, 10 V, 3 V

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor precio
Unidades/pack 5 000
Precio unitario 0,228€
Entrega >30 días

MOSFET, IRLL024ZPBF, N-Canal, 5 A, 55 V, 3+Tab-Pin, SOT-223

Fabricado por: Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 40
Precio unitario 0,561€
Entrega 30 días