IRLR110PBF | N channel ;VBRDSS 100 V; RDSon 540 mOh

2 variantes disponibles.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

N channel ;VBRDSS 100 V; RDSon 540 mOh

Fabricado por: Vishay

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 0,165€
Entrega >30 días

Transistor MOSFET, Canal N, 4.3 A, 100 V, 0.54 ohm, 5 V, 2 V

Fabricado por: Vishay
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 5 000
Precio unitario 0,379€
Stock (packs) 194
Entrega 7 días