1 variante disponible.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 43 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.8 V.
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 4 000 |
| Precio unitario | 0,286€ |
| Entrega | 7 días |