IRLR7821PBF | Transistor MOSFET, Canal N, 65 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V

2 variantes disponibles.

Otros nombres: MOSFET, IRLR7821PBF, N-Canal-Canal, 65 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si.

Transistor MOSFET, Canal N, 65 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V

Fabricado por: Infineon

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 65A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

MOSFET, IRLR7821PBF, N-Canal, 65 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252)

Fabricado por: Infineon

Datasheet

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.