IXDN75N120 | Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; 660W

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Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; 660W

Fabricado por: IXYS

Tags: Semiconductores, Transistores, Transistores y módulos IGBT, Módulos IGBT.

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Precio unitario 20,580€
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