IXFA4N85X | MOSFET, IXFA4N85X, N-Canal, 3,5 A, 850 V, 2 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263)

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MOSFET, IXFA4N85X, N-Canal, 3,5 A, 850 V, 2 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263)

Fabricado por: Ixys

Datasheet

Los MOSFET de alimentación de 850 V Ultra-Junction X-Class con diodos de cuerpo rápido constituyen una nueva gama de semiconductores de alimentación de IXYS Corporation. Estos resistentes dispositivos ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas del sector, lo que permite una densidad de potencia muy alta en aplicaciones de conversión de potencia de alta tensión. Desarrollados con el principio de compensación de carga y una tecnología de proceso patentada, los nuevos dispositivos de 850 V ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas (33 miliohmios en el encapsulado SOT-227 y 41 miliohmios en el PLUS264, por ejemplo), así como cargas de compuerta bajas y un rendimiento de dv/dt superior.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.