IXFH50N50P3 | MOSFET, IXFH50N50P3, N-Canal, 50 A, 500 V, 3-Pin, TO-247

2 variantes disponibles.

MOSFET, IXFH50N50P3, N-Canal, 50 A, 500 V, 3-Pin, TO-247

Fabricado por: Ixys

Datasheet

Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 500 V, 0.125 ohm, 10 V, 5 V

Fabricado por: Ixys Semiconductor

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.