IXFN360N15T2 | MOSFET, IXFN360N15T2, N-Canal-Canal, 310 A, 150 V, 4-Pin, SOT-227 GigaMOS TrenchT2 HiperFET
1 variante disponible.
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MOSFET, IXFN360N15T2, N-Canal-Canal, 310 A, 150 V, 4-Pin, SOT-227 GigaMOS TrenchT2 HiperFET
Fabricado por: Ixys
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 10 |
| Precio unitario | 27,610€ |
| Entrega | >30 días |