IXGN200N60B3 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B
1 variante disponible.
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B
Fabricado por: Ixys Semiconductor
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 300A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.35V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 100 |
| Precio unitario | 20,409€ |
| Stock (packs) | 15 |
| Entrega | 7 días |