IXYN100N120B3H1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 165 A, 2.6 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B
1 variante disponible.
Otros nombres: IGBT, IXYN100N120B3H1, N-Canal, 165 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 5 to 30kHz Simple.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 165 A, 2.6 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B
Fabricado por: Ixys Semiconductor
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 165A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.6V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 100 |
| Precio unitario | 18,576€ |
| Entrega | >30 días |