IXYN82N120C3H1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, SOT-227B
1 variante disponible.
Otros nombres: IGBT, IXYN82N120C3H1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 20 to 50kHz Simple.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, SOT-227B
Fabricado por: Ixys Semiconductor
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 100 |
| Precio unitario | 23,367€ |
| Entrega | >30 días |