LSIC2SD120C05 | Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 18.1 A, 30 nC, TO-252
1 variante disponible.
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 5A.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 18.1 A, 30 nC, TO-252
Fabricado por: Littelfuse
Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV Corriente Directa Continua If: 18.1A
Tags: Semiconductores - Discretos, Diodos, Diodos Schottky, Diodos Schottky de Carburo de Silicio.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1.000 |
| Precio unitario | 2,658€ |
| Stock (packs) | 97 |
| Entrega | 7 días |