MDI200-12A4 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 270 A, 2.2 V, 1.13 kW, 1.2 kV, Module
1 variante disponible.
Otros nombres: Módulo IGBT, MDI200-12A4, N-Canal, 270 A, 1.200 V, Y3 DCB, 7-Pines Simple, Módulo IGBT, MDI200-12A4, N-Canal, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 7-Pines Simple.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 270 A, 2.2 V, 1.13 kW, 1.2 kV, Module
Fabricado por: Ixys Semiconductor
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 270A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.2V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 50 |
| Precio unitario | 71,033€ |
| Entrega | >30 días |