MIEB101H1200EH | Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente H; Urmax: 1,2kV; 630W
1 variante disponible.
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Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente H; Urmax: 1,2kV; 630W
Fabricado por: IXYS
Tags: Semiconductores, Transistores, Transistores y módulos IGBT, Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5 |
| Precio unitario | 74,205€ |
| Entrega | >30 días |