MII100-12A3 | Transistor Único IGBT, 135 A, 2.2 V, 560 W, 1.2 kV, Module, 7 Pines
1 variante disponible.
Otros nombres: Módulo IGBT, MII100-12A3, N-Canal, 135 A, 1.200 V, Y4 M5, 7-Pines Serie, Módulo IGBT, MII100-12A3, N-Canal, 135 A, 1200 V, Y4 M5, 7-Pines Serie.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor Único IGBT, 135 A, 2.2 V, 560 W, 1.2 kV, Module, 7 Pines
Fabricado por: Ixys Semiconductor
Corriente de Colector DC: 135A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.2V Disipación de Potencia Pd: 560W
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 50 |
| Precio unitario | 46,861€ |
| Entrega | >30 días |