MII75-12A3 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 90 A, 2.2 V, 370 W, 1.2 kV, Module
1 variante disponible.
Otros nombres: Módulo IGBT, MII75-12A3, N-Canal, 90 A, 1.200 V, Y4 M5, 7-Pines Serie, Módulo IGBT, MII75-12A3, N-Canal, 90 A, 1200 V, Y4 M5, 7-Pines Serie.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 90 A, 2.2 V, 370 W, 1.2 kV, Module
Fabricado por: Ixys Semiconductor
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 90A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.2V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 50 |
| Precio unitario | 37,229€ |
| Stock (packs) | 2 |
| Entrega | 7 días |