MIXA300PF1200TSF | Módulo transistor IGBT, MIXA300PF1200TSF, Doble, 465 A, 1.200 V, N-Canal, SimBus F, 11-Pines
1 variante disponible.
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 325A.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 30 |
| Precio unitario | 90,123€ |
| Entrega | 7 días |