MMBT2907. | Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE

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Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 350mW

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT).

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