MRF085HR5 | Transistor FET de RF, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H

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Transistor FET de RF, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H

Fabricado por: Nxp

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 133VDC Disipación de Potencia Pd: 235W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores FET de RF.

Entrega y precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 102,820€
Stock (packs) 7
Entrega 7 días