MUBW15-12A6K | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 19 A, 3 V, 90 W, 1.2 kV, Module
1 variante disponible.
Otros nombres: Módulo IGBT, MUBW15-12A6K, N-Canal, 19 A, 1.200 V, 25-Pines Trifásico.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 19 A, 3 V, 90 W, 1.2 kV, Module
Fabricado por: Ixys Semiconductor
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 19A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 100 |
| Precio unitario | 26,015€ |
| Stock (packs) | 18 |
| Entrega | 7 días |