NCP1397GANGEVB | Placa de evaluación, Módulo de potencia Controlador de alta tensión integrado de altas prestaciones

1 variante disponible.

Placa de evaluación, Módulo de potencia Controlador de alta tensión integrado de altas prestaciones

Fabricado por: On Semiconductor

El diseño de referencia de NCP1397GANGEVB proporciona una fuente de alimentación de 12 V/20 A usando HEMT de nitruro de galio (GaN) como los dispositivos de conmutación. La parte delantera del convertidor de potencia convierte una línea ac universal en un bus 385 dc que logra un factor de potencia casi unitario. La segunda etapa es una etapa dc-dc que convierte el bus 385 V dc en una salida de 12 V con una corriente de carga nominal máx. de 20 A. La etapa de PFC de impulso emplea el controlador CCM NCP1654 de ON Semiconductor. La segunda etapa es un convertidor dc-dc aislado que convierte el bus 385 V dc en una salida de tensión de 12 V dc y emplea el controlador LLC NCP1397 de ON Semiconductor. La rectificación síncrona se logra con el controlador síncrono NCP4304 en el lado secundario para mejorar la eficiencia. El NCP432 se utiliza en la ruta de retroalimentación para regular la tensión de salida. La placa utiliza HEMT de GaN como los dispositivos de conmutación en la fase PFC y en el lado principal de la etapa LLC.

Tags: Semiconductores, Kits de Desarrollo para Semiconductor, Kits de Desarrollo de Control de Potencia.