NCV1413BDR2G | Par Darlington, NCV1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común
2 variantes disponibles.
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Par Darlington, NCV1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común
Fabricado por: On Semiconductor
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Pares Darlington.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 2.500 |
| Precio unitario | 0,153€ |
| Entrega | 30 días |
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
Fabricado por: On Semiconductor
Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT).
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5.000 |
| Precio unitario | 0,174€ |
| Stock (packs) | 2475 |
| Entrega | 7 días |