NDT3055 | Transistor MOSFET, Canal N, 4 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V

2 variantes disponibles.

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Transistor MOSFET, Canal N, 4 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor precio
Unidades/pack 12 000
Precio unitario 0,248€
Entrega >30 días

MOSFET, NDT3055, N-Canal, 4 A, 60 V, 3+Tab-Pin, SOT-223

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 4 000
Precio unitario 0,251€
Entrega 7 días