1 variante disponible.
Fabricado por: On Semiconductor
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) dispone de una construcción Trench FieldStop (FS2) robusta y rentable con un diodo RC monolítico. Proporciona una solución rentable para aplicaciones donde las pérdidas de diodo son mínimas. El IGBT está optimizado para bajas pérdidas de conducción (baja VCEsat) y es ideal para aplicaciones de conmutación suave o resonante.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 60 |
| Precio unitario | 1,826€ |
| Entrega | 30 días |