NIS5112D1R2G | Fusible Electrónico, FET de Canal N de Lado Alto, Suministro de 9V-18V, SOIC-8
2 variantes disponibles.
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Fusible Electrónico, FET de Canal N de Lado Alto, Suministro de 9V-18V, SOIC-8
Tags: Semiconductores - Circuitos Integrados, Función Especial.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 7 500 |
| Precio unitario | 1,045€ |
| Entrega | >30 días |
Fusible Electrónico, FET de Canal N de Lado Alto, Suministro de 9V-18V, SOIC-8
Fabricado por: On Semiconductor
Función del Circuito Integrado: Fusible Electrónico Tensión de Alimentación Mín.: 9V Tensión de Alimentación Máx.: 18V
Tags: Semiconductores - Circuitos Integrados, Función Especial.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 1,154€ |
| Stock (packs) | 2300 |
| Entrega | 7 días |