NTGD1100LT1G | MOSFET Doble, Canal N y P, 8 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 1.2 V

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MOSFET Doble, Canal N y P, 8 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N y P Tensión Drenador-Fuente (Vds): 8V Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.04ohm

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Dobles.

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