NTZD3155CT1G | MOSFET Doble, Canal N y P, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1 V

2 variantes disponibles.

MOSFET Doble, Canal N y P, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1 V

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 540mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Dobles.

MOSFET, NTZD3155CT1G Dual N/P-Canal, 450 mA, 570 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.