NXH80T120L2Q0S2G | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 1.2 kV, PIM
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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 1.2 kV, PIM
Fabricado por: On Semiconductor
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 67A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.35V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 50 |
| Precio unitario | 46,056€ |
| Stock (packs) | 23 |
| Entrega | 7 días |