PBSS302ND,115 | Transistor, PBSS302ND,115, NPN 4 A 40 V HFE:50 TSOP, 6 pines, 150 MHz,

2 variantes disponibles.

Transistor, PBSS302ND,115, NPN 4 A 40 V HFE:50 TSOP, 6 pines, 150 MHz,

Fabricado por: Nexperia

Datasheet

Una gama de transistores NPN de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Transistores bipolares y BJT.

Transistor, PBSS302ND,115, NPN 4 A 40 V HFE:50 TSOP, 6 pines, 150 MHz,

Fabricado por: Nexperia

Datasheet

Una gama de transistores NPN de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Transistores bipolares y BJT.