PD20010-E | Transistor FET de RF, 40 V, 5 A, 59 W, 2 GHz, PowerSO-10RF
1 variante disponible.
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Transistor FET de RF, 40 V, 5 A, 59 W, 2 GHz, PowerSO-10RF
Fabricado por: Stmicroelectronics
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Disipación de Potencia Pd: 59W
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores FET de RF.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 250 |
| Precio unitario | 9,846€ |
| Stock (packs) | 267 |
| Entrega | 7 días |