PD57006-E | MOSFET, PD57006-E, N-Canal-Canal, 1 A, 65 V, 4-Pin, PowerSO Simple Si
2 variantes disponibles.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
MOSFET, PD57006-E, N-Canal-Canal, 1 A, 65 V, 4-Pin, PowerSO Simple Si
Fabricado por: Stmicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 100 |
| Precio unitario | 7,964€ |
| Entrega | 30 días |
Transistor FET de RF, 65 V, 1 A, 20 W, 925 MHz, 960 MHz, SOIC
Fabricado por: Stmicroelectronics
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Corriente de Drenaje Continua Id: 1A Disipación de Potencia Pd: 20W
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores FET de RF.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 250 |
| Precio unitario | 8,565€ |
| Stock (packs) | 4 |
| Entrega | 7 días |