PEMX1,115 | Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, 40 V, 200 mW, 100 mA, 120 hFE, SOT-666

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Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, 40 V, 200 mW, 100 mA, 120 hFE, SOT-666

Fabricado por: Nexperia

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT).

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