1 variante disponible.
MOSFET Trench de canal P individual, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT457 (SC-74) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 3 000 |
| Precio unitario | 0,172€ |
| Entrega | 30 días |