1 variante disponible.
MOSFET Trench de canal P individual, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT457 (SC-74) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Tags: Semiconductores
, Semiconductores Discretos
, MOSFET
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Entrega y precio | |
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Unidades/pack | 3.000 |
Precio unitario | 0,172€ |
Entrega | 30 días |