RGT8NS65DGC9 | Transistor Único IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pines

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Transistor Único IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pines

Fabricado por: Rohm

Corriente de Colector DC: 8A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.65V Disipación de Potencia Pd: 65W

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.

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