RJP65T43DPM-00#T1 | IGBT, RJP65T43DPM-00#T1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-3PFM, 3+Tab-Pines Simple
1 variante disponible.
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IGBT, RJP65T43DPM-00#T1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-3PFM, 3+Tab-Pines Simple
Fabricado por: Renesas Electronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 400 |
| Precio unitario | 2,973€ |
| Entrega | 7 días |