RQ3E100BNTB | Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 2.5 V
2 variantes disponibles.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5 000 |
| Precio unitario | 0,105€ |
| Entrega | >30 días |
El RQ3E100BN es un MOSFET con encapsulado de alta potencia (HSMT8) para conmutación.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 20 |
| Precio unitario | 0,251€ |
| Entrega | 7 días |