RQ3E100GNTB | Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 30 V, 0.0089 ohm, 10 V, 2.5 V

2 variantes disponibles.

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Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 30 V, 0.0089 ohm, 10 V, 2.5 V

Fabricado por: Rohm
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor precio
Unidades/pack 5 000
Precio unitario 0,096€
Entrega >30 días

MOSFET, RQ3E100GNTB, N-Canal, 21 A, 30 V, 8-Pin, HSMT

Fabricado por: Rohm
Datasheet

Los MOSFET de potencia están fabricados como dispositivos de baja resistencia de conexión con tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Amplia gama incluidos tipos compactos, tipos de alta potencia y tipos complejos para cumplir con diversas necesidades del mercado.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 1 000
Precio unitario 0,124€
Entrega 7 días