1 variante disponible.
Otros nombres: Módulo MOSFET, SCT10N120, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, Reducción, 3-Pin, HiP247™ SCT SiC.
Fabricado por: Stmicroelectronics
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 250 |
| Precio unitario | 5,830€ |
| Entrega | >30 días |