SCT2450KEC | MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 10 A, 1.2 kV, 0.45 ohm, 18 V, 4 V

1 variante disponible.

Otros nombres: TMOSP11348, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 7A; Idm: 25A; 85W.

MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 10 A, 1.2 kV, 0.45 ohm, 18 V, 4 V

Fabricado por: Rohm

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.