SCT2H12NYTB | TMOSP12912

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TMOSP12912

Fabricado por: Rohm

SiC-N 1700V 4A 1150mOhm TO268

Tags: Semiconductors, Transistors, MOSFETs.

Mejor precio
Unidades/pack 400
Precio unitario 3,085€
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MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 4 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, 18 V, 2.8 V

Fabricado por: Rohm

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.7kV

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 250
Precio unitario 3,437€
Stock (packs) 136
Entrega 7 días